电子镇流器的设计人员对半桥驱动晶体管的交越失真非常关注，交越失真的优化与否直接影响了两半桥驱动晶体管是否能安全可靠地工作。显然，半桥驱动晶体管的饱和压降Vcesat 对交越功率影响很大。那么如何测得这一约为0.3V的晶体管饱和压降Vcesat呢？在几百伏电压开关频率约为40kHz的电压冲击下，很多示波器在量程仅为几伏时，通道业已饱和, 根本无法测得半桥驱动的晶体管饱和压降Vcesat及波形, 因而无法分析交越失真功率。

        在这里，我们介绍如何使用emcbetTDS5034B示波器来测量饱和压降Vcesat。TDS5034B具有不错的通道抗饱和能力, 可以准确测得Vcesat及波形, 为半桥驱动晶体管交越失真的优化提供了可靠的分析手段。本文的第一部分将介绍如何用TDS5034B 及 P5100测试电子镇流器中半桥驱动晶体管的饱和电压及波形。

        众所周知，“控制芯片+逻辑级驱动(Igt 5mA，10mA)双向可控硅”的方案已广泛用于白色家电，经过优化的Igt门极驱动电流是此类应用的关键。本文的第二部分将介绍如何用emcbet的 TCPA300电流放大器、TCP312探头系统及TDS5034B系统(精度为1mA)测量电风扇控制电路中逻辑级驱动双向可控硅的门极驱动电流及其控制响应。